【令和5年度】経営情報システム 第1問:フラッシュメモリ(NAND/NOR)

1. 問題の要旨

フラッシュメモリに関する記述(a〜e)について、正しい組み合わせを選びなさい。

  • a: 揮発性メモリであり、紫外線でデータ消去する。
  • b: 不揮発性メモリであり、電源を切ってもデータを保持する。
  • c: 読み出し速度はNAND型の方が速い。
  • d: 書き込み速度はNAND型の方が速い。
  • e: NOR型はUSBメモリやSSDに用いられる。

2. 要点まとめ

  • フラッシュメモリ: 電源を切ってもデータが消えない「不揮発性」メモリ。
  • NAND型: 書き込みが速く、大容量化に向く。USBメモリやSSDに利用。
  • NOR型: 読み出しが速く、プログラムの直接実行に向く。

3. 正解

b と d の組み合わせ

4. 解説

メモリの性質(a・b)

フラッシュメモリは、電源を落としてもデータが保持される不揮発性メモリです。 (※紫外線で消去するのはEPROMという古い形式のメモリです)

NAND型とNOR型の比較(c・d・e)

NAND型とNOR型には以下の違いがあります。

特徴NAND型NOR型
得意な処理書き込み(高速)読み出し(高速)
主な用途USBメモリ、SSD制御用プログラムの保存
アクセスブロック単位ランダムアクセス
  • 読み出しはNOR型が速いため、記述cは誤りです。
  • 書き込みはNAND型が速いため、記述dは正しいです。
  • USBメモリやSSDにはNAND型が使われるため、記述eは誤りです。

以上より、正しい記述は b と d となります。